Конкурс 2023 года на получение грантов по направлению «Микроэлектроника»

Российский научный фонд (РНФ) открывает конкурс 2023 года для получения грантов на проведение ориентированных и прикладных научных исследований по направлению «Микроэлектроника».

Конкурс проводится по 12 лотам:

• Лот № 1, тема: «Разработка специальных подложек кубического карбида кремния на кремнии (3C-SiC/Si) для роста транзисторных гетероструктур Ga(Al)N с высокой подвижностью носителей заряда (HEMT)».
• Лот № 2, тема: «Исследование и моделирование конструкции транзисторных наногетероструктур типа AlGaN/GaN на подложках кремния и специальных подложках кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si)».
• Лот № 3, тема: «Исследование и разработка аналого-цифровой СБИС в специализированном корпусе для МЭМС-микрофона».
• Лот № 4, тема: «Разработка технологии МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур лазерных источников для гетерогенной интеграции Si/A3B5».
• Лот № 5, тема: «Разработка программных средств системы автоматизированного проектирования ЭКБ для создания ячеек энергонезависимой памяти на основе технологий ReRAM, FeRAM, MRAM».
• Лот № 6, тема: «Доработка критических элементов технологии в целях организации серийного производства бескорпусных GaAs СВЧ МИС с проектной нормой до 0,25 мкм для радиоаппаратуры систем навигации, телекоммуникации и радиолокации диапазона частот до 40ГГц15».
• Лот № 7, тема: «Создание программного обеспечения для автоматизации проектирования и программирования гетерогенных реконфигурируемых интегральных схем».
• Лот № 8, тема: «Разработка ПАВ для безметального проявителя, использующегося в процессах фотолитографии с проектными нормами 180 – 90 нм и ниже, и освоение его микротоннажного производства».
• Лот № 9, тема: «Разработка библиотеки топологий и моделей стандартных элементов и их апробация с целью создания методологии согласования импедансов мощных бескорпусных AlGaN СВЧ-транзисторов с проектной нормой до 0,5 мкм при проектировании аппаратуры систем навигации, телекоммуникации и радиолокации L-, S- и С-диапазонов».
• Лот № 10, тема: «Разработка технологического процесса формирования эпитаксиальных слоев германия для pin диодов (фотодетекторов) на длину волны 1,31 мкм, сопряженных с кремниевой волноводной структурой».
• Лот № 11, тема: «Разработка и внедрение технологии аттестации сверх чистых химических материалов для технологии микроэлектроники с проектными нормами от 65 нм».
• Лот № 12, тема: «Разработка технологического процесса флип-чип монтажа кристаллов с алюминиевой металлизацией на интерпозер, подложку, корпус».

Объем финансовой поддержки Фонда для ориентированных научных исследований сроком на три года составит до 10 млн. рублей в год.

Поддержка прикладных научных исследований составит до 30 млн. рублей в год, максимальный срок выполнения — до трех лет.

Заявки на конкурс принимаются не позднее 17 часов 00 минут (по московскому времени) 23 августа 2023 года через ИАС.

Результаты конкурса будут определены в срок до 25 сентября 2023 года.

Источник: Российский Научный Фонд